5STP 18F1810Phase control thyristorVDRM, VRRM= 1800 VITAVm= 1780 AITSM= 21000 AVT0= 0.923 VrT= 0.188 mΩ 专利浮动硅

Phase Control Thyristor5STP 07D1800VDRM=1800 VIT(AV)M=760 AIT(RMS)=1190 AITSM= 9.0103AVT0=0.927 VrT=0.448 m 专利浮动硅

Gate turn-off Thyristor5SGF 30J4502PRELIMINARYVDRM= 4500 VITGQM= 3000 AITSM= 24 kAVT0= 1.80 VrT= 0.70 mΩVDClin= 3000 V

Asymmetric Gate turn-offThyristor5SGF 40L4502VDRM=4500 VITGQM=4000 AITSM= 25103AVT0=1.2 VrT=0.65 mWVDclink=2800 V专利自

Asymmetric Gate turn-off Thyristor5SGA 40L4501VDRM= 4500 VITGQM= 4000 AITSM= 25103AVT0= 2.1 VrT= 0.58 mWVDclink= 2800 V

采用无电解镀金方法生产，为了强化镀层附着力先先镀镍后镀铜，后在镀镍。根据客户要求金属的镀金形态可以变化（Only Ni,Only Cu

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代替泡棉使用，原来的泡棉有导电布，海绵，胶带组成的。但，新开发的BU产品本身赋予了导电性，靠垫性。可以代替超薄导电性泡棉。